Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Nexperia USA Inc.

2N7002PS/ZLH

Parte Stock: 2995

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PS/ZLX

Parte Stock: 2959

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002BKS/ZLX

Parte Stock: 3012

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PS,115

Parte Stock: 185058

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002BKV,115

Parte Stock: 165987

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 340mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002BKS,115

Parte Stock: 195974

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PS,125

Parte Stock: 136239

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PV,115

Parte Stock: 136107

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

2N7002PSZ

Parte Stock: 2453

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K18-40EX

Parte Stock: 171094

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 24.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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BUK9K89-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K89-100E,115

Parte Stock: 171088

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BSS138BKS,115

Parte Stock: 129700

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K8R7-40EX

Parte Stock: 140529

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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BUK9K45-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K45-100E,115

Parte Stock: 140499

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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BUK9K29-100E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K29-100E,115

Parte Stock: 120044

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K134-100EX

Parte Stock: 189637

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 159 mOhm @ 5A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKS/ZLX

Parte Stock: 3372

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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BUK9MTT-65PBB,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MTT-65PBB,518

Parte Stock: 3325

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 65V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90.4 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MRR-65PKK,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MRR-65PKK,518

Parte Stock: 3041

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 65V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60.7 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MNN-65PKK,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MNN-65PKK,518

Parte Stock: 3039

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 65V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32.8 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MJJ-65PLL,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MJJ-65PLL,518

Parte Stock: 3037

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 65V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.6A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MGP-55PTS,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MGP-55PTS,518

Parte Stock: 2984

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V, 22.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MHH-65PNN,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MHH-65PNN,518

Parte Stock: 3036

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 65V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MFF-65PSS,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MFF-65PSS,518

Parte Stock: 2995

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 65V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13.6A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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BUK9MJT-55PRF,518

Nexperia USA Inc.

BUK9MJT-55PRF,518

Parte Stock: 2797

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKV,115

Parte Stock: 198874

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BSS84AKS,115

Parte Stock: 164611

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K5R1-30EX

Parte Stock: 109883

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 10A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K20-80EX

Parte Stock: 2610

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K12-60EX

Parte Stock: 108473

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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BUK9K6R2-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9K6R2-40E,115

Parte Stock: 116859

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K12-60EX

Parte Stock: 108455

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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BUK7K5R1-30E,115

Nexperia USA Inc.

BUK7K5R1-30E,115

Parte Stock: 109892

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K6R2-40EX

Parte Stock: 116814

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK7K32-100EX

Parte Stock: 108509

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 29A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

BUK9K32-100EX

Parte Stock: 108431

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA,

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