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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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BUK761R7-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK761R7-40E,118

Parte Stock: 64866

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7880-55/CUF
Nexperia USA Inc.

BUK7880-55/CUF

Parte Stock: 137946

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7107-55ATE,118

Parte Stock: 8606

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

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BUK661R6-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK661R6-30C,118

Parte Stock: 63697

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9628-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9628-55A,118

Parte Stock: 154200

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK6D43-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK6D43-60EX

Parte Stock: 24356

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-75B,115

Parte Stock: 197618

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK6D120-60PX
Nexperia USA Inc.

BUK6D120-60PX

Parte Stock: 24343

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

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BUK9840-55/CUX
Nexperia USA Inc.

BUK9840-55/CUX

Parte Stock: 139579

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), 10.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V,

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BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y104-100B,115

Parte Stock: 164195

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 5A, 10V,

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BUK9M14-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M14-40EX

Parte Stock: 179377

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 44A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK964R8-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK964R8-60E,118

Parte Stock: 72266

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK765R0-100E,118
Nexperia USA Inc.

BUK765R0-100E,118

Parte Stock: 47693

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6610-75C,118

Parte Stock: 112806

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 78A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R9-60E,118

Parte Stock: 64641

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9230-100B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9230-100B,118

Parte Stock: 59587

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9275-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9275-100A,118

Parte Stock: 172654

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

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BUK6217-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6217-55C,118

Parte Stock: 159020

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 44A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 12A, 10V,

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BUK7219-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7219-55A,118

Parte Stock: 184579

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9215-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9215-55A,118

Parte Stock: 184578

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9240-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9240-100A,118

Parte Stock: 151749

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9207-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9207-30B,118

Parte Stock: 152477

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK6209-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6209-30C,118

Parte Stock: 102855

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 12A, 10V,

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BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK96180-100A,118

Parte Stock: 147944

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK9614-60E,118

Parte Stock: 122604

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 56A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 15A, 10V,

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BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y4R4-40EX

Parte Stock: 176281

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y7R8-80EX

Parte Stock: 118582

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y6R0-60E,115

Parte Stock: 141695

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7E2R6-60E,127
Nexperia USA Inc.

BUK7E2R6-60E,127

Parte Stock: 29265

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK9Y19-75B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-75B,115

Parte Stock: 140943

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 48.2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

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BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.

BUK765R3-40E,118

Parte Stock: 141625

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9209-40B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9209-40B,118

Parte Stock: 149318

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7210-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7210-55B,118

Parte Stock: 152495

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9219-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9219-55A,118

Parte Stock: 172078

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK7222-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7222-55A,118

Parte Stock: 187022

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 48A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

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BUK663R2-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK663R2-40C,118

Parte Stock: 91480

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

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