Menu
GalegoGalego
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

  • Home.
  •  
  • Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos
BSP030,115
Nexperia USA Inc.

BSP030,115

Parte Stock: 8796

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK7509-55A,127
Nexperia USA Inc.

BUK7509-55A,127

Parte Stock: 8849

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7513-75B,127
Nexperia USA Inc.

BUK7513-75B,127

Parte Stock: 8801

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9509-40B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9509-40B,127

Parte Stock: 8777

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9512-55B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9512-55B,127

Parte Stock: 8873

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9520-100B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9520-100B,127

Parte Stock: 47560

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 63A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7909-75AIE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7909-75AIE,127

Parte Stock: 28769

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK7C10-75AITE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7C10-75AITE,118

Parte Stock: 42036

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK6E2R3-40C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E2R3-40C,127

Parte Stock: 27269

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9506-40B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9506-40B,127

Parte Stock: 8809

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9507-30B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9507-30B,127

Parte Stock: 8793

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9508-55B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9508-55B,127

Parte Stock: 5891

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9575-100A,127
Nexperia USA Inc.

BUK9575-100A,127

Parte Stock: 8769

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
BUK663R5-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK663R5-55C,118

Parte Stock: 87661

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK664R8-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK664R8-75C,118

Parte Stock: 39387

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK6E4R0-75C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E4R0-75C,127

Parte Stock: 71868

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7535-100A,127
Nexperia USA Inc.

BUK7535-100A,127

Parte Stock: 8775

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 41A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK714R1-40BT,118
Nexperia USA Inc.

BUK714R1-40BT,118

Parte Stock: 22840

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK755R2-40B,127
Nexperia USA Inc.

BUK755R2-40B,127

Parte Stock: 8841

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7909-75ATE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7909-75ATE,127

Parte Stock: 28814

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK7907-55ATE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7907-55ATE,127

Parte Stock: 28020

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK9510-100B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9510-100B,127

Parte Stock: 8858

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9907-40ATC,127
Nexperia USA Inc.

BUK9907-40ATC,127

Parte Stock: 27994

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
BUK6218-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6218-40C,118

Parte Stock: 183961

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 42A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
BUK7Y65-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y65-100EX

Parte Stock: 107787

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BUK7277-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7277-55A,118

Parte Stock: 161112

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
BUK6226-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6226-75C,118

Parte Stock: 115017

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
BUK7214-75B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7214-75B,118

Parte Stock: 59153

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK6213-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6213-30C,118

Parte Stock: 196009

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
BUK9Y40-55B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y40-55B,115

Parte Stock: 104109

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
BUK9217-75B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9217-75B,118

Parte Stock: 152475

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 64A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9212-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9212-55B,118

Parte Stock: 152494

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9226-75A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9226-75A,118

Parte Stock: 74057

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 45A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK7237-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7237-55A,118

Parte Stock: 164175

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 32.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BUK9214-30A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9214-30A,118

Parte Stock: 177706

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 63A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
BSP230,135
Nexperia USA Inc.

BSP230,135

Parte Stock: 140673

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 300V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 210mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.