Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 5.5V,
Configuración impulsada: High-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 12V ~ 36V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: High-Side or Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 2.75V ~ 30V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canle: Synchronous, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 9V ~ 16V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 4, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 4, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Half-Bridge, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 10V ~ 20V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Single, Número de condutores: 1, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuración impulsada: Low-Side, Tipo de canle: Independent, Número de condutores: 2, Tipo de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Tensión - Alimentación: 4.5V ~ 18V, Tensión lóxica - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
