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RFQS / Order.
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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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TC6320TG-G
Microchip Technology

TC6320TG-G

Parte Stock: 68318

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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TC7920K6-G
Microchip Technology

TC7920K6-G

Parte Stock: 49864

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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TD9944TG-G
Microchip Technology

TD9944TG-G

Parte Stock: 65575

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 240V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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TC2320TG-G
Microchip Technology

TC2320TG-G

Parte Stock: 63061

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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TC6320K6-G
Microchip Technology

TC6320K6-G

Parte Stock: 71235

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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TC8020K6-G-M937
Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

Parte Stock: 11166

Tipo FET: 6 N and 6 P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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TC6321T-V/9U
Microchip Technology

TC6321T-V/9U

Parte Stock: 64633

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

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DN2625DK6-G
Microchip Technology

DN2625DK6-G

Parte Stock: 28122

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Depletion Mode, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

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TC6215TG-G
Microchip Technology

TC6215TG-G

Parte Stock: 66450

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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TC8020K6-G
Microchip Technology

TC8020K6-G

Parte Stock: 8617

Tipo FET: 6 N and 6 P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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TC1550TG-G
Microchip Technology

TC1550TG-G

Parte Stock: 16138

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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LP1030DK1-G
Microchip Technology

LP1030DK1-G

Parte Stock: 2955

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 300V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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LN100LA-G
Microchip Technology

LN100LA-G

Parte Stock: 2875

Tipo FET: 2 N-Channel (Cascoded), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 10µA,

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TC8220K6-G
Microchip Technology

TC8220K6-G

Parte Stock: 47950

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

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