Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

Microchip Technology

TN0104N8-G

Parte Stock: 87217

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 630mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 3V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN0604N3-G

Parte Stock: 71131

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 700mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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DN2530N8-G

Parte Stock: 138406

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 300V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

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TN2504N8-G

Parte Stock: 89487

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 890mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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LND150N3-G-P003

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LND150N3-G-P003

Parte Stock: 183599

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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DN2540N3-G

Parte Stock: 97638

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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TN5335N8-G

Parte Stock: 108979

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 3V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

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VN2106N3-G

Parte Stock: 187819

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN3205N8-G

Parte Stock: 68394

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V,

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TN5325K1-G

Parte Stock: 183601

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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TP5322K1-G

Parte Stock: 166067

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 220V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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VN2110K1-G

Parte Stock: 193820

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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TN0702N3-G

Parte Stock: 65974

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 530mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 5V,

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LND01K1-G

Parte Stock: 142227

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 9V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 330mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 0V,

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TN2640K4-G

Parte Stock: 43675

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VP2106N3-G

Parte Stock: 146510

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN2222LL-G

Parte Stock: 174426

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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MIC94030BM4 TR

Parte Stock: 9877

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 16V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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MIC94052BC6-TR

Parte Stock: 9895

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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MIC94053BC6-TR

Parte Stock: 9815

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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MIC94050BM4 TR

Parte Stock: 9820

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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MIC94051BM4 TR

Parte Stock: 9843

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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TP5335K1-G

Parte Stock: 109016

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 85mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 200mA, 10V,

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VP2110K1-G

Parte Stock: 158520

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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LND250K1-G

Parte Stock: 182364

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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TN2524N8-G

Parte Stock: 81176

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 240V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 360mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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MIC94052YC6-TR

Parte Stock: 171800

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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MIC94031BM4 TR

Parte Stock: 9583

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 16V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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TN2106K1-G

Parte Stock: 193802

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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MIC94031YM4-TR

Parte Stock: 9555

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 16V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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DN3135N8-G

Parte Stock: 151019

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 135mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N8-G

Parte Stock: 115855

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

DN3545N8-G

Parte Stock: 124604

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 450V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

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DN2625K4-G

Parte Stock: 75520

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

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VN2450N8-G

Parte Stock: 83065

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

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DN3135K1-G

Parte Stock: 178009

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72mA (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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