Diodos - Rectificadores - Sinxelos

D2700U45X122XOSA1

Parte Stock: 287

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 4500V, Actual - Media rectificada (Io): 2900A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

Parte Stock: 324

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 9000V, Actual - Media rectificada (Io): 1790A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5.5V @ 4000A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

Parte Stock: 307

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 4500V, Actual - Media rectificada (Io): 2380A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 2500A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

Parte Stock: 304

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 8500V, Actual - Media rectificada (Io): 3040A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

Parte Stock: 5330

IDP45E60XKSA1

Parte Stock: 38822

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 71A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 45A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

IDP23011XUMA1

Parte Stock: 34916

IDK04G65C5XTMA1

Parte Stock: 2364

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH53DB6

Parte Stock: 2397

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

Parte Stock: 9090

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 16A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH9DB6

Parte Stock: 2378

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 154ns,

IRD3CH16DD6

Parte Stock: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

Parte Stock: 1902

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 42A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 76ns,

IRD3CH42DD6

Parte Stock: 2407

IRD3CH101DD6

Parte Stock: 2319

IDW40E65D2FKSA1

Parte Stock: 30469

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 80A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

IRD3CH82DF6

Parte Stock: 2356

IRD3CH16DB6

Parte Stock: 2357

IRD3CH5BD6

Parte Stock: 5238

IDC08S60CEX1SA3

Parte Stock: 2424

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 8A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

Parte Stock: 10387

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 8A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

Parte Stock: 2297

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 2A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

Parte Stock: 7574

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 20A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

Parte Stock: 2364

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH31DB6

Parte Stock: 2327

IDB10S60CATMA2

Parte Stock: 5332

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH42DB6

Parte Stock: 2339

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 75A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 75A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 285ns,

IRD3CH82DD6

Parte Stock: 2324

IRD3CH11DB6

Parte Stock: 2369

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 25A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

Parte Stock: 2324

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 8A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IRD3CH5DB6

Parte Stock: 5234

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

Parte Stock: 68501

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

Parte Stock: 2296

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

Parte Stock: 2355

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

Parte Stock: 2298

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

Parte Stock: 2285

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,