Diodos - Rectificadores - Sinxelos

IRD3CH31DD6

Parte Stock: 2359

D770N14TXPSA1

Parte Stock: 2110

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io): 770A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 400A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDV30E65D2XKSA1

Parte Stock: 46154

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 30A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 42ns,

IDV20E65D1XKSA1

Parte Stock: 47923

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 28A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 42ns,

IDH08G65C6XKSA1

Parte Stock: 18927

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 20A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

D770N12TXPSA1

Parte Stock: 2033

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 770A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 400A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1050N12TXPSA1

Parte Stock: 2267

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 1050A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1000A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP08E65D1XKSA1

Parte Stock: 67894

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 80ns,

D770N20TXPSA1

Parte Stock: 2099

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 2000V, Actual - Media rectificada (Io): 770A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 400A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N20TXPSA1

Parte Stock: 2264

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 2000V, Actual - Media rectificada (Io): 820A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 750A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH05G120C5XKSA1

Parte Stock: 13098

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDH10G120C5XKSA1

Parte Stock: 8281

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDP15E65D2XKSA1

Parte Stock: 59599

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 47ns,

IDW12G65C5XKSA1

Parte Stock: 12018

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDH20G120C5XKSA1

Parte Stock: 4502

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 56A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDV06S60CXKSA1

Parte Stock: 1555

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

HFA15PB60PBF

Parte Stock: 26323

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 60ns,

IDH06G65C5XKSA1

Parte Stock: 1624

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDW30G65C5FKSA1

Parte Stock: 1668

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 30A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDW10G65C5FKSA1

Parte Stock: 1640

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDB12E120ATMA1

Parte Stock: 1490

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 28A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

IDP09E120

Parte Stock: 1554

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 23A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 9A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

IDH20G65C5XKSA1

Parte Stock: 1630

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 20A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDB23E60ATMA1

Parte Stock: 1521

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 41A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 23A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

IDD03SG60CXTMA1

Parte Stock: 1478

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDB15E60

Parte Stock: 1514

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 29.2A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 87ns,

IDH03G65C5XKSA1

Parte Stock: 1609

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDV05S60CXKSA1

Parte Stock: 1514

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDW16G65C5FKSA1

Parte Stock: 5259

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 16A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDP06E60

Parte Stock: 1466

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 14.7A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 70ns,

IDH08G65C5XKSA1

Parte Stock: 1682

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 8A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDB45E60ATMA1

Parte Stock: 1500

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 71A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 45A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

IDW12G65C5FKSA1

Parte Stock: 1666

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDH09G65C5XKSA1

Parte Stock: 1642

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 9A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 9A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDH10G65C6XKSA1

Parte Stock: 15125

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 24A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

IDV30E60C

Parte Stock: 5572

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 21A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.05V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 130ns,