Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

GeneSiC Semiconductor

1N3889

Parte Stock: 12061

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3893R

Parte Stock: 9557

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N1188R

Parte Stock: 14337

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 35A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

Parte Stock: 7092

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1200A

Parte Stock: 15967

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

Parte Stock: 10679

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1190A

Parte Stock: 11089

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

Parte Stock: 7743

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1186A

Parte Stock: 11112

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A,

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GeneSiC Semiconductor

1N3768R

Parte Stock: 7145

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 35A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

Parte Stock: 10388

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3892

Parte Stock: 11891

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3879

Parte Stock: 12395

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3881R

Parte Stock: 11499

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3881

Parte Stock: 12277

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3883

Parte Stock: 9906

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3879R

Parte Stock: 15729

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3892R

Parte Stock: 11929

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3883R

Parte Stock: 9515

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

Parte Stock: 457

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 14.6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

Parte Stock: 435

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 9.4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

Parte Stock: 456

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 9.4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

Parte Stock: 472

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3889R

Parte Stock: 12088

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

Parte Stock: 413

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 4.3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

Parte Stock: 5706

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 35A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD4145R

Parte Stock: 6557

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40MR

Parte Stock: 9616

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150Q

Parte Stock: 2529

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

Parte Stock: 5428

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 80A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR6035

Parte Stock: 5414

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

Parte Stock: 2907

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300B

Parte Stock: 2041

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S380ZR

Parte Stock: 2007

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 2000V, Actual - Media rectificada (Io): 380A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

Parte Stock: 16846

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH7010

Parte Stock: 31

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 70A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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