Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

DMP2101UCB9-7

Parte Stock: 3006

DMP2075UFDB-13

Parte Stock: 184

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMPH6050SPDQ-13

Parte Stock: 140692

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN601VK-7

Parte Stock: 199583

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 305mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC2041UFDB-13

Parte Stock: 176346

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMN5L06DMKQ-7

Parte Stock: 127512

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 305mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMTH4007SPDQ-13

Parte Stock: 125165

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

DMC25D0UVT-13

Parte Stock: 177257

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 400mA, 3.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMN61D9UDW-13

Parte Stock: 150473

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN67D8LDW-7

Parte Stock: 115475

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMN3055LFDB-7

Parte Stock: 130565

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMC3025LSD-13

Parte Stock: 117443

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, 4.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMN2019UTS-13

Parte Stock: 148284

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

DMN63D8LDW-13

Parte Stock: 103397

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMC2450UV-7

Parte Stock: 102178

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, 700mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMG6601LVT-7

Parte Stock: 130944

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMN3024LSD-13

Parte Stock: 104686

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMN3G32DN8TA

Parte Stock: 114903

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC2004LPK-7

Parte Stock: 158060

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 750mA, 600mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMG4511SK4-13

Parte Stock: 151829

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 35V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMT3009LDT-7

Parte Stock: 191383

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMNH6021SPD-13

Parte Stock: 169861

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A, 32A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC3016LDV-7

Parte Stock: 175686

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN3016LDV-7

Parte Stock: 157491

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMN63D8LDWQ-7

Parte Stock: 161902

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMN2004DWK-7

Parte Stock: 161664

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

ZXMC3F31DN8TA

Parte Stock: 184943

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN3035LWN-7

Parte Stock: 179644

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC3400SDW-7

Parte Stock: 148048

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 650mA, 450mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

DMN63D0LT-7

Parte Stock: 180893

DMN5L06VKQ-7

Parte Stock: 192415

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

DMP2065UFDB-7

Parte Stock: 144177

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

ZXMHC3A01N8TC

Parte Stock: 158505

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.17A, 1.64A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC2450UV-13

Parte Stock: 171377

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, 700mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMTH6010LPDQ-13

Parte Stock: 125205

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMP2066LSD-13

Parte Stock: 103006

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,