Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

DMC3025LNS-7

Parte Stock: 178643

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP3036SSD-13

Parte Stock: 156076

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2008LFU-13

Parte Stock: 196776

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMNH4026SSDQ-13

Parte Stock: 107503

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC2990UDJQ-7B

Parte Stock: 199195

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN16M9UCA6-7

Parte Stock: 135

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

DMC2038LVTQ-7

Parte Stock: 174791

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, 74 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC6070LND-7

Parte Stock: 115806

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, 2.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMHC4035LSD-13

Parte Stock: 190231

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMS3019SSD-13

Parte Stock: 162279

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN2022UNS-7

Parte Stock: 109123

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.7A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN3016LDV-13

Parte Stock: 145769

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP4047SSD-13

Parte Stock: 153243

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMP22D4UDA-7B

Parte Stock: 125

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 328mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMTH6016LSDQ-13

Parte Stock: 146385

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

DMC4029SSDQ-13

Parte Stock: 181

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 6.5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG4822SSDQ-13

Parte Stock: 186

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMD63N03XTA

Parte Stock: 63691

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMG1026UVQ-7

Parte Stock: 165393

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 440mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

DMG9926USD-13

Parte Stock: 131794

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMC3025LDV-13

Parte Stock: 182397

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-13

Parte Stock: 110709

DMN13M9UCA6-7

Parte Stock: 87

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

ZXMN2088DE6TA

Parte Stock: 158779

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC3025LDV-7

Parte Stock: 189831

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

DMHC6070LSD-13

Parte Stock: 158503

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, 2.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC3021LSDQ-13

Parte Stock: 112926

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMC3028LSDX-13

Parte Stock: 179812

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, 5.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMN6A09DN8TA

Parte Stock: 63423

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-7

Parte Stock: 101082

DMG6968UTS-13

Parte Stock: 187139

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

DMC3016LNS-7

Parte Stock: 184096

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 6.8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC3016LSD-13

Parte Stock: 127604

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A, 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

HTMN5130SSD-13

Parte Stock: 82476

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

DMG9933USD-13

Parte Stock: 177140

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMC3026LSD-13

Parte Stock: 205

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A (Ta), 8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,