Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 12

DMN6066SSD-13

Parte Stock: 191351

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC4040SSD-13

Parte Stock: 197787

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMHC3F381N8TC

Parte Stock: 158568

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.98A, 3.36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP3098LSD-13

Parte Stock: 100979

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2038LVT-7

Parte Stock: 126085

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC4015SSD-13

Parte Stock: 158558

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.6A, 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2020USD-13

Parte Stock: 192882

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, 6.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN601DMK-7

Parte Stock: 108557

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 510mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMC3021LSD-13

Parte Stock: 164162

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2041LSD-13

Parte Stock: 151153

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.63A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN63D8LV-7

Parte Stock: 151779

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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ZDM4306NTC

Parte Stock: 2685

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMC2990UDJ-7

Parte Stock: 146844

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 450mA, 310mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-13

Parte Stock: 178082

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG6968UDM-7

Parte Stock: 152996

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13

Parte Stock: 169983

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN3018SSD-13

Parte Stock: 138401

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2004VK-7

Parte Stock: 165948

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP4025LSD-13

Parte Stock: 193316

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

Parte Stock: 177171

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN5L06VK-7

Parte Stock: 133884

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

Parte Stock: 104906

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Parte Stock: 162696

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA,

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Diodes Incorporated

DI9956T

Parte Stock: 2624

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

Parte Stock: 106764

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC31D5UDJ-7B

Parte Stock: 166000

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Diodes Incorporated

DMP2004VK-7

Parte Stock: 179589

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 530mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Diodes Incorporated

ZXMN3AM832TA

Parte Stock: 2640

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMN61D9UDW-7

Parte Stock: 182168

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2700UDM-7

Parte Stock: 130711

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.34A, 1.14A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMHC3025LSD-13

Parte Stock: 180355

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG1023UV-7

Parte Stock: 104503

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

Parte Stock: 171759

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12.2A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC1017UPD-13

Parte Stock: 2684

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 9.4A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTA

Parte Stock: 60635

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

Parte Stock: 146068

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 360mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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