Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
---|---|
Tipo FET | P-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 20V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 2.5V, 4.5V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 150pF @ 10V |
Función FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete de dispositivos do provedor | TUMT5 |
Paquete / Estuche | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |