Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Obsolete |
---|---|
Tipo FET | P-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 40V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 4V, 10V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 2180pF @ 10V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete de dispositivos do provedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |