Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 4.5V, 10V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 620pF @ 15V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete de dispositivos do provedor | 6-UDFNB (2x2) |
Paquete / Estuche | 6-WDFN Exposed Pad |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
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Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |