Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
---|---|
Tipo FET | N-Channel |
Tecnoloxía | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 650V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 93A (Tc) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 18V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (máx.) | +22V, -4V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 2208pF @ 500V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 339W (Tc) |
Temperatura de operación | 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Paquete de dispositivos do provedor | TO-247N |
Paquete / Estuche | TO-247-3 |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |