Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Obsolete |
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Tipo FET | N-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 60V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 710pF @ 25V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Paquete de dispositivos do provedor | I-PAK |
Paquete / Estuche | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
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Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |