Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
---|---|
Tipo FET | N-Channel |
Tecnoloxía | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 1200V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 20V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 15mA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 161nC @ 20V |
Vgs (máx.) | +20V, -5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 2790pF @ 1000V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | - |
Temperatura de operación | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Chassis Mount |
Paquete de dispositivos do provedor | SOT-227B |
Paquete / Estuche | SOT-227-4, miniBLOC |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |