Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
---|---|
Tipo FET | N-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 100V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 360pF @ 25V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Paquete de dispositivos do provedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquete / Estuche | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |