Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Obsolete |
---|---|
Tipo FET | P-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 100V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 33.5A (Tc) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 10V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 2910pF @ 25V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Paquete de dispositivos do provedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Estuche | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |