Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Preliminary |
---|---|
Tipo FET | P-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 20V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 4.7A (Ta) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 1.5V, 4.5V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.8nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 634pF @ 10V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 670mW (Ta) |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete de dispositivos do provedor | X2-DFN2015-3 |
Paquete / Estuche | 3-XDFN |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |