Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
---|---|
Tipo FET | N-Channel |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 100V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 8.8A (Ta), 42A (Tc) |
Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 6V, 10V |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 1700pF @ 50V |
Función FET | - |
Disipación de potencia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete de dispositivos do provedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Estuche | 8-PowerTDFN |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |