| Tipo. | Descrición |
| Estado da peza | Obsolete |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnoloxía | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 1200V |
| Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 51A (Tc) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 20V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 235nC @ 20V |
| Vgs (máx.) | +25V, -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | - |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 273W (Tc) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | SOT-227 |
| Paquete / Estuche | SOT-227-4, miniBLOC |
| Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
|---|---|
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
| Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
| Categoría de Stock. | Stock dispoñible |
