| Tipo. | Descrición |
| Estado da peza | Obsolete |
|---|---|
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30V |
| Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 2.5V, 10V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Función FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (máx.) | 2.8W (Ta) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | 6-DFN-EP (2x2) |
| Paquete / Estuche | 6-WDFN Exposed Pad |
| Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
|---|---|
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
| Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
| Categoría de Stock. | Stock dispoñible |
