Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 1

CAS300M17BM2

Parte Stock: 115

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 325A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CAS300M12BM2

Parte Stock: 138

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 423A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 300A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CCS050M12CM2

Parte Stock: 184

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 87A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA,

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Cree/Wolfspeed

CCS020M12CM2

Parte Stock: 413

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 29.5A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CAS120M12BM2

Parte Stock: 257

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 193A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CAS325M12HM2

Parte Stock: 70

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 444A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 105mA,

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Cree/Wolfspeed

CAS100H12AM1

Parte Stock: 3335

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 168A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 50mA,

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