Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 18

19MT050XF

Parte Stock: 2704

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 31A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA,

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SI1033X-T1-GE3

Parte Stock: 174190

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 145mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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SIA777EDJ-T1-GE3

Parte Stock: 187147

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI4505DY-T1-E3

Parte Stock: 118937

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 3.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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SI4808DY-T1-E3

Parte Stock: 80900

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

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SI7962DP-T1-E3

Parte Stock: 38892

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

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SI7900AEDN-T1-GE3

Parte Stock: 139913

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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SUD50NP04-77P-T4E3

Parte Stock: 118918

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI6968BEDQ-T1-GE3

Parte Stock: 192809

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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SI4936CDY-T1-E3

Parte Stock: 152475

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI3948DV-T1-GE3

Parte Stock: 139953

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SI6975DQ-T1-E3

Parte Stock: 56765

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

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SI6975DQ-T1-GE3

Parte Stock: 89660

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

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SI6954ADQ-T1-GE3

Parte Stock: 102782

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SI7904BDN-T1-GE3

Parte Stock: 165688

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI4276DY-T1-E3

Parte Stock: 139906

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI4943BDY-T1-GE3

Parte Stock: 73684

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI6954ADQ-T1-E3

Parte Stock: 197681

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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SI8900EDB-T2-E1

Parte Stock: 45537

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA,

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SI7913DN-T1-GE3

Parte Stock: 93108

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI6968BEDQ-T1-E3

Parte Stock: 118914

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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SI7904BDN-T1-E3

Parte Stock: 165763

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI4948BEY-T1-GE3

Parte Stock: 125231

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI4946BEY-T1-E3

Parte Stock: 150097

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI4808DY-T1-GE3

Parte Stock: 80857

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

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SI3951DV-T1-GE3

Parte Stock: 199685

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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SI7923DN-T1-E3

Parte Stock: 101885

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI5902BDC-T1-E3

Parte Stock: 125159

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SI5908DC-T1-GE3

Parte Stock: 118967

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SIZ904DT-T1-GE3

Parte Stock: 140725

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SI7923DN-T1-GE3

Parte Stock: 101842

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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SIZ918DT-T1-GE3

Parte Stock: 132159

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SI4505DY-T1-GE3

Parte Stock: 118954

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 3.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

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SI7913DN-T1-E3

Parte Stock: 93083

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI4554DY-T1-GE3

Parte Stock: 106365

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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SQ4282EY-T1_GE3

Parte Stock: 10808

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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