Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

Home.
Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

Vishay Siliconix

IRF630PBF

Parte Stock: 61030

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1069X-T1-GE3

Parte Stock: 167518

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHP24N65E-GE3

Parte Stock: 11654

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

SI5415AEDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5415AEDU-T1-GE3

Parte Stock: 192191

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7116DN-T1-E3

Parte Stock: 74965

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9214PBF

Parte Stock: 46648

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

Wishlist.

SIA415DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA415DJ-T1-GE3

Parte Stock: 182929

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Wishlist.

SUD19P06-60L-E3

Vishay Siliconix

SUD19P06-60L-E3

Parte Stock: 125159

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SQJ486EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ486EP-T1_GE3

Parte Stock: 165181

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHG33N60E-GE3

Parte Stock: 9978

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA418DJ-T1-GE3

Parte Stock: 115181

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

SI3443BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

Parte Stock: 115293

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7119DN-T1-E3

Parte Stock: 164009

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

SIA444DJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA444DJT-T1-GE3

Parte Stock: 190064

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.4A, 10V,

Wishlist.

SIE868DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE868DF-T1-GE3

Parte Stock: 60974

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SI4186DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4186DY-T1-GE3

Parte Stock: 135918

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SI5404BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-E3

Parte Stock: 105827

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Wishlist.

SI7164DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7164DP-T1-GE3

Parte Stock: 63494

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.25 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFP27N60KPBF

Parte Stock: 8963

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 27A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

SI2319CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319CDS-T1-GE3

Parte Stock: 166284

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wishlist.

SIR892DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR892DP-T1-GE3

Parte Stock: 54262

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHP22N60E-GE3

Parte Stock: 16471

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

SUD50N06-09L-E3

Vishay Siliconix

SUD50N06-09L-E3

Parte Stock: 54264

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQJ476EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ476EP-T1_GE3

Parte Stock: 119114

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SIR422DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR422DP-T1-GE3

Parte Stock: 139862

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SI2306BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2306BDS-T1-E3

Parte Stock: 125659

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.16A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

SI7141DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7141DP-T1-GE3

Parte Stock: 65801

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

SQJ459EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ459EP-T1_GE3

Parte Stock: 136666

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 52A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

SI7655ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7655ADN-T1-GE3

Parte Stock: 178778

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQ2315ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

Parte Stock: 126329

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

SI3442BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-E3

Parte Stock: 121173

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHG22N65E-GE3

Parte Stock: 12610

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

SIE810DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-GE3

Parte Stock: 40414

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

SISA18ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA18ADN-T1-GE3

Parte Stock: 138151

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 38.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SQJ456EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

Parte Stock: 29509

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 9.3A, 10V,

Wishlist.

SIHH14N65EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH14N65EF-T1-GE3

Parte Stock: 25762

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 271 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

3600

«
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
»