Parte Stock: 1219
Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 5V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 3.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.45 mOhm @ 60A, 4.5V,
