Memoria | Circuítos integrados (CI) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

Parte Stock: 31647

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND (SLC), Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 25ns,

Wishlist.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

Parte Stock: 1188

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND (SLC), Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 25ns,

Wishlist.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

Parte Stock: 2187

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND (SLC), Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 25ns,

Wishlist.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

Parte Stock: 31568

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND (SLC), Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 25ns,

Wishlist.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

Parte Stock: 33157

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND (SLC), Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 25ns,

Wishlist.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

Parte Stock: 33183

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND (SLC), Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 25ns,

Wishlist.