Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 2

CSD88599Q5DCT

Parte Stock: 14468

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87333Q3DT

Parte Stock: 70653

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87381P

Parte Stock: 131899

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87350Q5D

Parte Stock: 68849

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD86336Q3DT

Parte Stock: 2714

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD83325L

Parte Stock: 156131

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87588NT

Parte Stock: 67251

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87381PT

Parte Stock: 109565

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 8A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87355Q5DT

Parte Stock: 39849

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 45A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87313DMST

Parte Stock: 49889

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD85302LT

Parte Stock: 177129

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard,

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Texas Instruments

CSD88599Q5DC

Parte Stock: 22783

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD86356Q5DT

Parte Stock: 2723

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

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Texas Instruments

TPS1120D

Parte Stock: 27273

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 15V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87384M

Parte Stock: 105031

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD83325LT

Parte Stock: 151301

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87355Q5D

Parte Stock: 70450

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

TPS1120DG4

Parte Stock: 42271

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 15V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD85312Q3E

Parte Stock: 187545

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD88584Q5DCT

Parte Stock: 10445

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87335Q3D

Parte Stock: 96785

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87331Q3D

Parte Stock: 140901

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD75301W1015

Parte Stock: 2951

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD88539NDT

Parte Stock: 108250

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD85301Q2T

Parte Stock: 172784

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87312Q3E

Parte Stock: 166053

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 27A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A , 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87384MT

Parte Stock: 49054

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD88584Q5DC

Parte Stock: 25476

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87334Q3D

Parte Stock: 121075

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87503Q3ET

Parte Stock: 4047

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD88539ND

Parte Stock: 153712

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA,

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Texas Instruments

TPS1120DR

Parte Stock: 79109

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 15V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD86350Q5D

Parte Stock: 61562

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD85301Q2

Parte Stock: 106554

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87313DMS

Parte Stock: 10773

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Texas Instruments

CSD87503Q3E

Parte Stock: 10848

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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