Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

MBRF2035HC0G

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1003G C0G

Parte Stock: 150

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045HC0G

Parte Stock: 91

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2007GHC0G

Parte Stock: 67

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16100 C0G

Parte Stock: 97

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLWHRVG

Parte Stock: 155

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK15H45 R0G

Parte Stock: 107

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS808GHMNG

Parte Stock: 70

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GAHC0G

Parte Stock: 123

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1690HC0G

Parte Stock: 78

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2003GHC0G

Parte Stock: 66

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DFSHMXG

Parte Stock: 144

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1003G C0G

Parte Stock: 78

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002GAHC0G

Parte Stock: 75

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100 C0G

Parte Stock: 116

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100HMNG

Parte Stock: 114

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12JHC0G

Parte Stock: 153

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HT18G A0G

Parte Stock: 89

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF507GHC0G

Parte Stock: 150

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS806G MNG

Parte Stock: 108

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1DFS MXG

Parte Stock: 87

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF503G C0G

Parte Stock: 136

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 2.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1006GHC0G

Parte Stock: 75

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF505GHC0G

Parte Stock: 126

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1007G C0G

Parte Stock: 119

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1635 C0G

Parte Stock: 72

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1601G C0G

Parte Stock: 120

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF745HC0G

Parte Stock: 112

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 7.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16100HC0G

Parte Stock: 114

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UG5J C0G

Parte Stock: 83

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1660HC0G

Parte Stock: 71

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1004GHC0G

Parte Stock: 147

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF735HC0G

Parte Stock: 69

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 7.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1006G C0G

Parte Stock: 120

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF501G C0G

Parte Stock: 74

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS804G MNG

Parte Stock: 78

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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