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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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TSM1N80CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N80CW RPG

Parte Stock: 130

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21.6 Ohm @ 150mA, 10V,

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TSM4806CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4806CS RLG

Parte Stock: 220

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 4.5V,

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TSM4NC50CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NC50CP ROG

Parte Stock: 241

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.7A, 10V,

Wishlist.
TSM160P04LCRHRLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160P04LCRHRLG

Parte Stock: 272

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

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TSM10NC60CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM10NC60CF C0G

Parte Stock: 246

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.5A, 10V,

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TSM500P02CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM500P02CX RFG

Parte Stock: 214

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V,

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TSM126CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM126CX RFG

Parte Stock: 281

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 Ohm @ 16mA, 10V,

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TSM900N06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N06CP ROG

Parte Stock: 253

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 6A, 10V,

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TSM042N03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM042N03CS RLG

Parte Stock: 256

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 12A, 10V,

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TSM2N7000KCT A3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7000KCT A3G

Parte Stock: 196

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 10V,

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TSM950N10CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM950N10CW RPG

Parte Stock: 278

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

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TSM60N06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N06CP ROG

Parte Stock: 291

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 66A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 30A, 10V,

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TSM061NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM061NA03CR RLG

Parte Stock: 287

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 88A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 16A, 10V,

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TSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCR RLG

Parte Stock: 274

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 54A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
TSM650P03CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650P03CX RFG

Parte Stock: 319

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
TSM60NB190CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CZ C0G

Parte Stock: 315

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6A, 10V,

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TSM4NB60CH X0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CH X0G

Parte Stock: 210

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.
TSM033NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM033NA03CR RLG

Parte Stock: 257

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 129A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist.
TSM061NA03CV RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM061NA03CV RGG

Parte Stock: 261

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 66A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
TSM680P06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM680P06CP ROG

Parte Stock: 207

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
TSM900N10CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N10CP ROG

Parte Stock: 212

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
TSM170N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06PQ56 RLG

Parte Stock: 244

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 44A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
TSM80N1R2CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CP ROG

Parte Stock: 253

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Wishlist.
TSM650N15CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650N15CR RLG

Parte Stock: 310

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
TSM60NB600CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CP ROG

Parte Stock: 324

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist.
TSM60NB1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB1R4CP ROG

Parte Stock: 249

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 10V,

Wishlist.
TSM120N06LCP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCP ROG

Parte Stock: 275

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
TSM160N10LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160N10LCR RLG

Parte Stock: 271

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 46A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
TSM05N03CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM05N03CW RPG

Parte Stock: 318

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
TSM160P02CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160P02CS RLG

Parte Stock: 296

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 6A, 4.5V,

Wishlist.
TSM020N04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM020N04LCR RLG

Parte Stock: 234

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 27A, 10V,

Wishlist.
TSM150P03PQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM150P03PQ33 RGG

Parte Stock: 257

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
TSM060N03CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060N03CP ROG

Parte Stock: 284

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
TSM170N06CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06CH C5G

Parte Stock: 335

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
TSM2N100CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N100CP ROG

Parte Stock: 410

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V,

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TSM70N380CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N380CH C5G

Parte Stock: 360

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 700V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.3A, 10V,

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