Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 3

2SK3047

Parte Stock: 8914

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK3044

Parte Stock: 8928

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 450V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FM6K62010L

Parte Stock: 139710

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FK3506010L

Parte Stock: 128171

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM861240LBF

Parte Stock: 149538

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52030L

Parte Stock: 106438

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM861280LBF

Parte Stock: 136480

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52070L

Parte Stock: 110076

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

SK8403160L

Parte Stock: 154055

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 14.5A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FM6L52020L

Parte Stock: 184582

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FJ3303010L

Parte Stock: 139518

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

SK8403190L

Parte Stock: 140816

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK3906010L

Parte Stock: 191710

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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MTM761110LBF

Parte Stock: 132833

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

MTM861270LBF

Parte Stock: 186233

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

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FK8V03020L

Parte Stock: 179758

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 33V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 7A, 10V,

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FJ3P02100L

Parte Stock: 170336

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603150L

Parte Stock: 49829

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Ta), 89A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

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FK8V03060L

Parte Stock: 119517

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 33V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V,

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MTM981400BBF

Parte Stock: 60210

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

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SK8403170L

Parte Stock: 170273

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), 59A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 12A, 10V,

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FK8V03030L

Parte Stock: 134632

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 33V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 6A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52010L

Parte Stock: 146849

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8 V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

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MTM982400BBF

Parte Stock: 50877

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

MTM761230LBF

Parte Stock: 110440

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FK6K02010L

Parte Stock: 118686

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03050L

Parte Stock: 191195

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 33V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK8V03040L

Parte Stock: 147375

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 33V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603160L

Parte Stock: 151831

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Ta), 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 17A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FK3P02110L

Parte Stock: 116460

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 2.5V,

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Panasonic Electronic Components

FL5252050R

Parte Stock: 159382

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

MTM131270BBF

Parte Stock: 113071

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8 V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

FJ6K01010L

Parte Stock: 149431

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603190L

Parte Stock: 172926

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

SK8603140L

Parte Stock: 98069

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Ta), 103A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

FL6L52060L

Parte Stock: 137602

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8 V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

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