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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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FDD86581-F085
ON Semiconductor

FDD86581-F085

Parte Stock: 10752

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

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NTD4906NT4G
ON Semiconductor

NTD4906NT4G

Parte Stock: 1524

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.3A (Ta), 54A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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FQD3N50CTF
ON Semiconductor

FQD3N50CTF

Parte Stock: 1575

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

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FDD306P
ON Semiconductor

FDD306P

Parte Stock: 164711

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

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FQD2N60CTM-WS
ON Semiconductor

FQD2N60CTM-WS

Parte Stock: 10789

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

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NVA4153NT1G
ON Semiconductor

NVA4153NT1G

Parte Stock: 126264

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 915mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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FDG330P
ON Semiconductor

FDG330P

Parte Stock: 132239

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 4.5V,

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FQD5P10TM
ON Semiconductor

FQD5P10TM

Parte Stock: 197584

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V,

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NDS8434
ON Semiconductor

NDS8434

Parte Stock: 95338

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.7V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

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FDS6680AS
ON Semiconductor

FDS6680AS

Parte Stock: 179864

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

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FDS8433A
ON Semiconductor

FDS8433A

Parte Stock: 168649

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 5A, 4.5V,

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FDS6699S
ON Semiconductor

FDS6699S

Parte Stock: 101280

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 21A, 10V,

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HUF76629D3ST
ON Semiconductor

HUF76629D3ST

Parte Stock: 98170

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 10V,

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FDD86567-F085
ON Semiconductor

FDD86567-F085

Parte Stock: 10803

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 80A, 10V,

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NTMFS4839NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4839NT1G

Parte Stock: 1569

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD5C434NT4G
ON Semiconductor

NTD5C434NT4G

Parte Stock: 10763

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Ta), 160A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 50A, 10V,

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NTD4860NT4G
ON Semiconductor

NTD4860NT4G

Parte Stock: 155518

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

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CPH5871-TL-W
ON Semiconductor

CPH5871-TL-W

Parte Stock: 1504

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
NDS8425
ON Semiconductor

NDS8425

Parte Stock: 114980

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.7V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

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FQD6N40CTM
ON Semiconductor

FQD6N40CTM

Parte Stock: 182175

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

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NTMFS4943NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4943NT1G

Parte Stock: 189761

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.3A (Ta), 41A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 30A, 10V,

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FQD2P40TM
ON Semiconductor

FQD2P40TM

Parte Stock: 103029

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.56A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

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FDD8447L-F085
ON Semiconductor

FDD8447L-F085

Parte Stock: 10798

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

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NVD5C668NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C668NLT4G

Parte Stock: 121951

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V,

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FDZ663P
ON Semiconductor

FDZ663P

Parte Stock: 1484

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 2A, 4.5V,

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FDS5690
ON Semiconductor

FDS5690

Parte Stock: 150382

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

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FQD4N25TM-WS
ON Semiconductor

FQD4N25TM-WS

Parte Stock: 10833

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
FDD6690A
ON Semiconductor

FDD6690A

Parte Stock: 141764

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 46A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V,

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NTD6415ANLT4G
ON Semiconductor

NTD6415ANLT4G

Parte Stock: 187948

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 10A, 10V,

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NVD6828NLT4G-VF01
ON Semiconductor

NVD6828NLT4G-VF01

Parte Stock: 132291

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 90V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.7A (Ta), 41A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
NTD2955PT4G
ON Semiconductor

NTD2955PT4G

Parte Stock: 1484

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6A, 10V,

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FQD11P06TF
ON Semiconductor

FQD11P06TF

Parte Stock: 1555

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V,

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NTLJS3A18PZTXG
ON Semiconductor

NTLJS3A18PZTXG

Parte Stock: 1607

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V,

Wishlist.
NVMFS5826NLT1G
ON Semiconductor

NVMFS5826NLT1G

Parte Stock: 166443

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 10A, 10V,

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FDMS8570S
ON Semiconductor

FDMS8570S

Parte Stock: 125190

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Ta), 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 24A, 10V,

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MCH3486-TL-H
ON Semiconductor

MCH3486-TL-H

Parte Stock: 1616

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1A, 10V,

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