Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 2

1PS193,115

Parte Stock: 1062

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io): 215mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS193,135

Parte Stock: 5187

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io): 215mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N914B,113

Parte Stock: 348

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,113

Parte Stock: 9942

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,143

Parte Stock: 9977

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4148,133

Parte Stock: 9978

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS59SB20,115

Parte Stock: 9887

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N4448,113

Parte Stock: 9889

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1N4448,143

Parte Stock: 9886

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

1PS59SB10,115

Parte Stock: 9579

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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NXP USA Inc.

BAT54T,115

Parte Stock: 1894

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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BAS116T,115

Parte Stock: 1894

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 215mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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BYC8B-600PQP

Parte Stock: 1423

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 18ns,

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NXP USA Inc.

BY229X-800,127

Parte Stock: 1511

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 135ns,

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BYD17G,115

Parte Stock: 1052

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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BAW62,133

Parte Stock: 1029

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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BY229-600,127

Parte Stock: 496

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 135ns,

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NXP USA Inc.

BAT254,115

Parte Stock: 478

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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NXP USA Inc.

BYD17K,135

Parte Stock: 390

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYD77D,115

Parte Stock: 303

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 850mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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BYD37M,115

Parte Stock: 388

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 600mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 300ns,

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NXP USA Inc.

BYD77B,115

Parte Stock: 365

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 850mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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NXP USA Inc.

BYD17J,115

Parte Stock: 375

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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NXP USA Inc.

BYD17D,115

Parte Stock: 296

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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NXP USA Inc.

BY329X-1200,127

Parte Stock: 9889

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 145ns,

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BY329-1500S,127

Parte Stock: 9919

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1500V, Actual - Media rectificada (Io): 6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 6.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 160ns,

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BAS216,115

Parte Stock: 9921

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

BY359-1500,127

Parte Stock: 9954

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1500V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 600ns,

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NXP USA Inc.

BAS216,135

Parte Stock: 9878

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS16T,115

Parte Stock: 9970

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 155mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAW62,113

Parte Stock: 9968

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAW62,143

Parte Stock: 9956

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS316/ZLX

Parte Stock: 9620

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 215mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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NXP USA Inc.

BAS40/ZLVL

Parte Stock: 9547

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 120mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAS321/ZLX

Parte Stock: 9538

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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NXP USA Inc.

BAS321/ZLF

Parte Stock: 9610

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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