Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Nexperia USA Inc.

PMEG3002ESFYL

Parte Stock: 106766

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 535mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.42ns,

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PMEG2010BEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2010BEV,115

Parte Stock: 166046

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2015EV,115

Parte Stock: 144696

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2015EH,115

Parte Stock: 172280

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3002AELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG3002AELD,315

Parte Stock: 101025

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005AESFYL

Parte Stock: 133424

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.37ns,

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PMEG4002ELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG4002ELD,315

Parte Stock: 178633

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4002EL,315

Parte Stock: 172470

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG2002AESF,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2002AESF,315

Parte Stock: 148395

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.9ns,

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PMEG3005ELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG3005ELD,315

Parte Stock: 108648

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 6ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010AESBZ

Parte Stock: 188493

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 505mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3.1ns,

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PMEG2015EPK,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2015EPK,315

Parte Stock: 183149

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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PMEG4005AEAZ

Parte Stock: 171937

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4015EPK,315

Nexperia USA Inc.

PMEG4015EPK,315

Parte Stock: 106847

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

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PMEG3005EGWJ

Parte Stock: 195299

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CPASX

Parte Stock: 178066

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005EGWJ

Parte Stock: 108194

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2010AEJ,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2010AEJ,115

Parte Stock: 148005

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010EGWJ

Parte Stock: 146148

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2020AEA,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2020AEA,115

Parte Stock: 122272

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 2A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ESBZ

Parte Stock: 150746

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2.9ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6020EPAF

Parte Stock: 139350

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 575mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 78ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ESBYL

Parte Stock: 158393

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2.9ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEGWJ

Parte Stock: 139066

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4010BEA,135

Nexperia USA Inc.

PMEG4010BEA,135

Parte Stock: 117031

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010ESBYL

Parte Stock: 174990

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 565mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3.2ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEJF

Parte Stock: 133088

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010EGWX

Parte Stock: 173169

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Nexperia USA Inc.

PMEG2005EGWJ

Parte Stock: 130407

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005CEAX

Parte Stock: 141241

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.8ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010AESBZ

Parte Stock: 124502

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3.5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005EGWX

Parte Stock: 146988

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3020EGWJ

Parte Stock: 122997

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4010EPK,315

Nexperia USA Inc.

PMEG4010EPK,315

Parte Stock: 160323

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010EAZ

Parte Stock: 171360

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010EGWX

Parte Stock: 192511

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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