Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

PSMN014-40YS,115

Parte Stock: 199359

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 46A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 10V,

PSMN011-60MSX

Parte Stock: 180671

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 61A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN013-100PS,127

Parte Stock: 50236

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 68A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN013-80YS,115

Parte Stock: 190960

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN7R6-60PS,127

Parte Stock: 47327

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 92A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

PMV27UPER

Parte Stock: 168999

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

PSMN4R5-40PS,127

Parte Stock: 42330

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

PMZ1200UPEYL

Parte Stock: 126959

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 410mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V,

PMXB40UNEZ

Parte Stock: 130223

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.2V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

PMN27XPE,115

Parte Stock: 8572

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

PSMN4R3-30BL,118

Parte Stock: 123666

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 15A, 10V,

PSMN3R3-80BS,118

Parte Stock: 57777

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

PMV65UNEAR

Parte Stock: 120439

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

PHT6NQ10T,135

Parte Stock: 164446

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

PSMN3R3-80ES,127

Parte Stock: 39790

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN1R2-30YLC,115

Parte Stock: 158576

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 25A, 10V,

PMZB950UPEYL

Parte Stock: 131286

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.2V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

PMZB290UN,315

Parte Stock: 194542

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

PMZB150UNEYL

Parte Stock: 128489

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

PMV48XP,215

Parte Stock: 180177

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

PMZ130UNEYL

Parte Stock: 116415

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

PMZ390UNEYL

Parte Stock: 124279

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 900mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 900mA, 4.5V,

PMPB14XPX

Parte Stock: 45245

PSMN1R0-30YLC,115

Parte Stock: 125456

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 25A, 10V,

PMZB670UPE,315

Parte Stock: 173762

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 680mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 400mA, 4.5V,

PMF370XN,115

Parte Stock: 186968

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 870mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V,

PMZ550UNEYL

Parte Stock: 127159

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 590mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

PSMN4R0-30YLDX

Parte Stock: 157249

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

PMV65XPEAR

Parte Stock: 158933

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

NX7002BKR

Parte Stock: 151039

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 270mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V,

NX3008NBKW,115

Parte Stock: 135885

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V,

PSMN0R9-25YLC,115

Parte Stock: 138776

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.99 mOhm @ 25A, 10V,

PSMN5R6-100PS,127

Parte Stock: 31875

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

PMZ320UPEYL

Parte Stock: 115177

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 510 mOhm @ 1A, 4.5V,

PMZ950UPEYL

Parte Stock: 118244

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.2V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

NX138AKR

Parte Stock: 156542

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 190mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 190mA, 10V,