Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Microsemi Corporation

APT15DQ60BG

Parte Stock: 29429

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 19ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD120K

Parte Stock: 6853

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ60KG

Parte Stock: 44440

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 19ns,

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Microsemi Corporation

APT15DQ120KG

Parte Stock: 35058

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 240ns,

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Microsemi Corporation

APT75DQ60BG

Parte Stock: 15462

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 75A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 75A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 31ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD65K

Parte Stock: 9366

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 32A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD65K

Parte Stock: 12409

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 17A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT60D60BG

Parte Stock: 11579

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 130ns,

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Microsemi Corporation

APT10SCD120B

Parte Stock: 6623

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 36A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD120B

Parte Stock: 4642

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 68A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT30SCD120B

Parte Stock: 3455

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 99A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT20SCD120S

Parte Stock: 4145

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 68A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Microsemi Corporation

APT30S20BG

Parte Stock: 18686

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 45A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT60S20BG

Parte Stock: 12393

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 75A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT30DQ60BG

Parte Stock: 24299

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

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Microsemi Corporation

APT15D30KG

Parte Stock: 1168

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 32ns,

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Microsemi Corporation

APT30S20SG

Parte Stock: 532

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 45A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 55ns,

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Microsemi Corporation

APT60D30BG

Parte Stock: 571

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 38ns,

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Microsemi Corporation

APT15D40KG

Parte Stock: 614

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Microsemi Corporation

APT15S20KG

Parte Stock: 5116

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 80ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ60BG

Parte Stock: 23953

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Microsemi Corporation

APT100S20BG

Parte Stock: 9524

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 70ns,

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Microsemi Corporation

APT40DQ100BG

Parte Stock: 19872

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Microsemi Corporation

APT30D60BG

Parte Stock: 17982

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 85ns,

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Microsemi Corporation

JANTX1N6622

Parte Stock: 3139

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 660V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

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Microsemi Corporation

JANTXV1N645-1

Parte Stock: 1860

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 225V, Actual - Media rectificada (Io): 400mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N3595US

Parte Stock: 3443

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N3174

Parte Stock: 65

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 940A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JANTX1N3070-1

Parte Stock: 1471

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 175V, Actual - Media rectificada (Io): 100mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Microsemi Corporation

JANTXV1N5618

Parte Stock: 5261

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

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Microsemi Corporation

JANTX1N5551US

Parte Stock: 3807

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

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Microsemi Corporation

JAN1N5802URS

Parte Stock: 3415

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N3614

Parte Stock: 5863

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

SBR6030L

Parte Stock: 578

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 60A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

JAN1N5809URS

Parte Stock: 3811

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

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Microsemi Corporation

JAN1N5804URS

Parte Stock: 3402

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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