Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

Microsemi Corporation

JAN2N3810L

Parte Stock: 2580

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

Parte Stock: 1586

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

Parte Stock: 4563

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

Parte Stock: 1339

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 600mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2920

Parte Stock: 204

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3811U

Parte Stock: 4458

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3810U

Parte Stock: 1857

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N3810

Parte Stock: 2500

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2919U

Parte Stock: 1225

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N3811U

Parte Stock: 4514

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JANTX2N2920U

Parte Stock: 150

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3810

Parte Stock: 4455

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N6988

Parte Stock: 1482

Tipo de transistor: 4 PNP (Quad), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 600mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Microsemi Corporation

SG2823J-DESC

Parte Stock: 4497

Tipo de transistor: 8 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 95V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3811

Parte Stock: 5723

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

JAN2N3811L

Parte Stock: 4466

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Microsemi Corporation

SG2023J-883B

Parte Stock: 6449

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 95V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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