Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-sesga

UMH11N-TP

UMH11N-TP

Parte Stock: 104883

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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UMH2N-TP

UMH2N-TP

Parte Stock: 185189

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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UMH1N-TP

UMH1N-TP

Parte Stock: 191548

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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