Diodos - Rectificadores - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 1

SS275TI12205

Parte Stock: 747

Configuración do diodo: 3 Independent, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TC60110

Parte Stock: 709

Configuración do diodo: 3 Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TA60110

Parte Stock: 733

Configuración do diodo: 3 Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS275TA12205

Parte Stock: 711

Configuración do diodo: 3 Common Anode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS275TC12205

Parte Stock: 751

Configuración do diodo: 3 Common Cathode, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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IXYS-RF

SS150TI60110

Parte Stock: 671

Configuración do diodo: 3 Independent, Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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