Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 1

CPC3902ZTR

Parte Stock: 131537

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

Parte Stock: 108608

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

Parte Stock: 173406

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

Parte Stock: 110408

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

Parte Stock: 127604

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

Parte Stock: 180680

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

Parte Stock: 173441

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

Parte Stock: 1443

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

Parte Stock: 126520

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

Parte Stock: 1407

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

Parte Stock: 1380

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

Parte Stock: 198190

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

Parte Stock: 1385

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

Parte Stock: 6160

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

Parte Stock: 67206

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 415V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): -0.35V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

Parte Stock: 335

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 360mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

Parte Stock: 103573

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 360mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

Parte Stock: 127786

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): -0.35V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

Parte Stock: 107138

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): -0.35V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

Parte Stock: 185051

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 350V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): -0.35V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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