Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

GWM180-004X2-SMDSAM

Parte Stock: 3093

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

VMM1500-0075P

Parte Stock: 2957

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1500A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

GWM120-0075X1-SLSAM

Parte Stock: 3355

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 110A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VMM90-09P

Parte Stock: 480

VKM60-01P1

Parte Stock: 1092

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

GMM3X180-004X2-SMD

Parte Stock: 3178

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

FMP36-015P

Parte Stock: 4846

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 31A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA,

GMM3X100-01X1-SMDSAM

Parte Stock: 3134

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

MMIX2F60N50P3

Parte Stock: 257

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA,

FMM110-015X2F

Parte Stock: 4783

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 53A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 55A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

GMM3X60-015X2-SMDSAM

Parte Stock: 3115

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM100-01X1-SMDSAM

Parte Stock: 2800

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

GMM3X180-004X2-SMDSAM

Parte Stock: 3145

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

MCB40P1200LB

Parte Stock: 230

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 58A,

GMM3X100-01X1-SMD

Parte Stock: 3671

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

VHM40-06P1

Parte Stock: 1544

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 38A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA,

GMM3X120-0075X2-SMDSAM

Parte Stock: 3120

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 110A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VBH40-05B

Parte Stock: 905

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

GWM180-004X2-SL

Parte Stock: 3066

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SMDSAM

Parte Stock: 2788

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 110A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

IXTL2X240N055T

Parte Stock: 2780

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 140A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GWM220-004P3-SMD

Parte Stock: 2843

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

IXTL2X180N10T

Parte Stock: 8037

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075P

Parte Stock: 2781

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SMD

Parte Stock: 2800

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 110A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SMDSAM

Parte Stock: 2777

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM220-004P3-SMD SAM

Parte Stock: 2762

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VWM350-0075P

Parte Stock: 2759

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 340A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 250A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA,

IXTL2X220N075T

Parte Stock: 2763

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GWM220-004P3-SL

Parte Stock: 2796

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VWM200-01P

Parte Stock: 2691

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 210A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA,

GWM160-0055X1-SLSAM

Parte Stock: 2774

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

IXTL2X200N085T

Parte Stock: 2753

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 85V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 112A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GWM100-01X1-SL

Parte Stock: 2846

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

GWM70-01P2

Parte Stock: 2692

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM100-01X1-SMD

Parte Stock: 2825

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,