Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 1

GWS9294

Parte Stock: 2995

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.1A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

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Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

Parte Stock: 3027

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.1A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

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Renesas Electronics America Inc.

KGF6N05D-400

Parte Stock: 2987

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 5.5V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

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Renesas Electronics America Inc.

KGF16N05D-400

Parte Stock: 3372

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 5.5V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

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Renesas Electronics America Inc.

GWS9293

Parte Stock: 3370

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

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