Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 256Mb (16M x 16), Frecuencia do reloxo: 200MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 256Mb (32M x 8), Frecuencia do reloxo: 200MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR2, Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Frecuencia do reloxo: 333MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR2, Tamaño da memoria: 256Mb (16M x 16), Frecuencia do reloxo: 266MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 128Mb (4M x 32), Frecuencia do reloxo: 200MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 256Mb (16M x 16), Frecuencia do reloxo: 200MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 2Mb (256K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR3L, Tamaño da memoria: 2Gb (256M x 8), Frecuencia do reloxo: 667MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 1Mb (64K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 256Mb (16M x 16), Frecuencia do reloxo: 200MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: PSRAM, Tecnoloxía: PSRAM (Pseudo SRAM), Tamaño da memoria: 64Mb (4M x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 70ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: PSRAM, Tecnoloxía: PSRAM (Pseudo SRAM), Tamaño da memoria: 128Mb (16M x 8), Frecuencia do reloxo: 166MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 36ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NOR, Tamaño da memoria: 256Mb (32M x 8), Frecuencia do reloxo: 133MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 800µs,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 8Mb (1M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 45ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 512Mb (32M x 16), Frecuencia do reloxo: 167MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: PSRAM, Tecnoloxía: PSRAM (Pseudo SRAM), Tamaño da memoria: 64Mb (8M x 8), Frecuencia do reloxo: 100MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 40ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR2, Tamaño da memoria: 1Gb (64M x 16), Frecuencia do reloxo: 333MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: DRAM, Tecnoloxía: SDRAM - DDR, Tamaño da memoria: 256Mb (16M x 16), Frecuencia do reloxo: 200MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 15ns,
