Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

IRFP2907ZPBF

Parte Stock: 18958

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 90A, 10V,

IPS060N03LGBKMA1

Parte Stock: 2159

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

IPDD60R150G7XTMA1

Parte Stock: 7365

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5.3A, 10V,

IPP80P04P4L04AKSA1

Parte Stock: 64229

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

IPD50R380CEBTMA1

Parte Stock: 2322

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 13V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 13V,

IPC60R190E6UNSAWNX6SA1

Parte Stock: 2324

IRL540NSTRLPBF

Parte Stock: 90373

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 18A, 10V,

SPP02N60C3XKSA1

Parte Stock: 105497

SPP12N50C3XKSA1

Parte Stock: 49070

IRFR7446TRPBF

Parte Stock: 149536

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 56A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 56A, 10V,

IRFC4010EB

Parte Stock: 2138

IRFC4332ED

Parte Stock: 2154

IRF1324PBF

Parte Stock: 27554

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 195A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 195A, 10V,

IPC60R280E6X7SA1

Parte Stock: 6296

IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

Parte Stock: 2263

IRFB3306PBF

Parte Stock: 41396

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

IPSA70R2K0CEAKMA1

Parte Stock: 145079

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 700V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

IPI90R800C3

Parte Stock: 2258

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.1A, 10V,

IPC60R099C6UNSAWNX6SA1

Parte Stock: 2264

IPB160N04S2L03ATMA2

Parte Stock: 2162

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

IPB65R065C7ATMA1

Parte Stock: 15261

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

IPSA70R600CEAKMA1

Parte Stock: 182539

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 700V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1A, 10V,

IPS090N03LGBKMA1

Parte Stock: 5669

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

IRFH7184ATRPBF

Parte Stock: 2117

IRFU024NPBF

Parte Stock: 67860

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

IPP120P04P404AKSA1

Parte Stock: 46632

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 100A, 10V,

IRFP1405PBF

Parte Stock: 23251

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 95A, 10V,

IPL65R725CFDAUMA1

Parte Stock: 2055

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 725 mOhm @ 2.1A, 10V,

IRF8252TRPBF-1

Parte Stock: 2050

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

SPW20N60C3E8177FKSA1

Parte Stock: 2242

SPD04N60C3

Parte Stock: 6226

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

IPC90R1K2C3X1SA1

Parte Stock: 75572

IPC95R450P7X7SA1

Parte Stock: 2399

IPI120N06S403AKSA2

Parte Stock: 2148

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

IPB80N08S2L07ATMA1

Parte Stock: 51271

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V,

IPU95R3K7P7AKMA1

Parte Stock: 8456

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 950V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 800mA, 10V,