Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

BSC240N12NS3 G

Parte Stock: 1398

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 120V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 37A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 31A, 10V,

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Infineon Technologies

BSV236SPH6327XTSA1

Parte Stock: 144710

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA2

Parte Stock: 137721

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

Parte Stock: 133510

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 2.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

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Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

Parte Stock: 173921

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

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BSR302NL6327HTSA1

Parte Stock: 147786

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

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BSP149H6327XTSA1

Parte Stock: 151561

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 660mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

Parte Stock: 139015

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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BSR315PH6327XTSA1

Parte Stock: 154692

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 620mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

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BSP300H6327XUSA1

Parte Stock: 149949

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 190mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

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BUZ73LHXKSA1

Parte Stock: 1204

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

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BUZ73ALHXKSA1

Parte Stock: 1178

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

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BUZ73A H3046

Parte Stock: 1626

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

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BUZ73A H

Parte Stock: 1233

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

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BUZ73HXKSA1

Parte Stock: 1190

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

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BUZ73H3046XKSA1

Parte Stock: 1217

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

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BUZ31L H

Parte Stock: 1152

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

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BUZ31HXKSA1

Parte Stock: 1196

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

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BSS84PH6327XTSA1

Parte Stock: 1174

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

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BSC0908NSATMA1

Parte Stock: 1017

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 34V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

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BSS816NW L6327

Parte Stock: 875

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 2.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

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BSS314PEL6327HTSA1

Parte Stock: 879

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

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BSS806NL6327HTSA1

Parte Stock: 961

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 2.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

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BSS159NH6327XTSA1

Parte Stock: 894

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

Parte Stock: 920

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

Parte Stock: 899

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

Parte Stock: 6168

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 53A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

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BSF053N03LT G

Parte Stock: 917

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), 71A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSB024N03LX G

Parte Stock: 881

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 27A (Ta), 145A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSB053N03LP G

Parte Stock: 882

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSB019N03LX G

Parte Stock: 1636

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Ta), 174A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

Parte Stock: 867

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

Parte Stock: 941

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

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Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

Parte Stock: 843

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 2.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

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Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

Parte Stock: 912

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

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Infineon Technologies

BSD214SN L6327

Parte Stock: 923

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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