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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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HTNFET-D
Honeywell Aerospace

HTNFET-D

Parte Stock: 199

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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HTNFET-T
Honeywell Aerospace

HTNFET-T

Parte Stock: 199

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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HTNFET-TC
Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

Parte Stock: 211

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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HTNFET-DC
Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

Parte Stock: 199

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

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