Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 2

GP2D003A060C

Parte Stock: 124592

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D008A120A

Parte Stock: 12482

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 24A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A065A

Parte Stock: 43140

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 15A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D012A065A

Parte Stock: 12864

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D006A060A

Parte Stock: 18126

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 6A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D020A060B

Parte Stock: 10017

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 58A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A060A

Parte Stock: 32164

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 15A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D012A060D

Parte Stock: 9856

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D006A060C

Parte Stock: 22992

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 6A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D008A120C

Parte Stock: 12548

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 24A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D015A120A

Parte Stock: 6601

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 50A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D012A060A

Parte Stock: 9802

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D003A060A

Parte Stock: 32449

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D012A065C

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 29A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GSXD300A170S2D5

Parte Stock: 1548

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1700V, Actual - Media rectificada (Io): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 300A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 540ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A060A

Parte Stock: 17959

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 30A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D020A120A

Parte Stock: 2898

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 20A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D003A065C

Parte Stock: 46386

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A065C

Parte Stock: 63819

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 15A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D036A060B

Parte Stock: 7919

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 82A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 36A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D010A065C

Parte Stock: 32469

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 30A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GP2D003A065A

Parte Stock: 46379

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D030A060B

Parte Stock: 5912

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 30A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 30A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP60Z120E

Parte Stock: 2254

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 60A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 60A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP08S120A

Parte Stock: 2165

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A120A

Parte Stock: 7354

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP15S120B

Parte Stock: 5232

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 15A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A120A

Parte Stock: 20996

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D010A170B

Parte Stock: 3924

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1700V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP06S060A

Parte Stock: 2241

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 6A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A170B

Parte Stock: 6213

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1700V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D005A120C

Parte Stock: 20934

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GP2D050A120B

Parte Stock: 2553

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 50A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP12S060A

Parte Stock: 5283

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP03S060C

Parte Stock: 2176

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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Global Power Technologies Group

GDP30S120B

Parte Stock: 2237

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 30A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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