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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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DMP21D6UFD-7
Diodes Incorporated

DMP21D6UFD-7

Parte Stock: 9946

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 600mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.2V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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DMP1081UCB4-7
Diodes Incorporated

DMP1081UCB4-7

Parte Stock: 113038

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), 3.3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0.9V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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DMP2305UVT-7
Diodes Incorporated

DMP2305UVT-7

Parte Stock: 147220

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

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DMG1013UWQ-7
Diodes Incorporated

DMG1013UWQ-7

Parte Stock: 191428

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 820mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

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DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated

DMP3007SCG-13

Parte Stock: 123287

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 11.5A, 10V,

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DMN3070SSN-7
Diodes Incorporated

DMN3070SSN-7

Parte Stock: 194623

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 10V,

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DMP1100UCB4-7
Diodes Incorporated

DMP1100UCB4-7

Parte Stock: 125934

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.3V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3A, 4.5V,

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DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated

DMN2004WKQ-7

Parte Stock: 194997

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V,

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DMT69M8LFV-13
Diodes Incorporated

DMT69M8LFV-13

Parte Stock: 178650

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 45A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V,

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ZXMN2069FTA
Diodes Incorporated

ZXMN2069FTA

Parte Stock: 172668

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V,

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DMN65D8LFB-7
Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7

Parte Stock: 150120

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

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DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3021LFDF-7

Parte Stock: 106674

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

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DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated

DMN3009LFV-13

Parte Stock: 9944

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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DMN2400UFB-7
Diodes Incorporated

DMN2400UFB-7

Parte Stock: 194942

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 750mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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DMN60H080DS-7
Diodes Incorporated

DMN60H080DS-7

Parte Stock: 9918

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 80mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 Ohm @ 60mA, 10V,

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DMN3025LFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3025LFDF-7

Parte Stock: 141203

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 7A, 10V,

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DMN3033LDM-7
Diodes Incorporated

DMN3033LDM-7

Parte Stock: 130559

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wishlist.
DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated

DMP1011UCB9-7

Parte Stock: 157120

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
DMN62D0LFB-7
Diodes Incorporated

DMN62D0LFB-7

Parte Stock: 154528

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

Wishlist.
DMP2004WK-7
Diodes Incorporated

DMP2004WK-7

Parte Stock: 112795

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 400mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated

DMN5L06WKQ-7

Parte Stock: 105651

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

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DMN100-7-F
Diodes Incorporated

DMN100-7-F

Parte Stock: 179333

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.
DMG3404L-7
Diodes Incorporated

DMG3404L-7

Parte Stock: 180033

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.8A, 10V,

Wishlist.
DMG2302UQ-7
Diodes Incorporated

DMG2302UQ-7

Parte Stock: 112250

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3020UFDF-7
Diodes Incorporated

DMN3020UFDF-7

Parte Stock: 196253

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2066LVT-7
Diodes Incorporated

DMP2066LVT-7

Parte Stock: 1031

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3052LSS-13
Diodes Incorporated

DMN3052LSS-13

Parte Stock: 1007

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 10V,

Wishlist.
DMN4027SSS-13
Diodes Incorporated

DMN4027SSS-13

Parte Stock: 937

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
DMN3005LK3-13
Diodes Incorporated

DMN3005LK3-13

Parte Stock: 1018

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
DMG8880LSS-13
Diodes Incorporated

DMG8880LSS-13

Parte Stock: 949

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.6A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.6A, 10V,

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ZVN3320ASTOA
Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOA

Parte Stock: 912

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.
DMS2220LFDB-7
Diodes Incorporated

DMS2220LFDB-7

Parte Stock: 188581

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wishlist.
DMP1555UFA-7B
Diodes Incorporated

DMP1555UFA-7B

Parte Stock: 104122

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.
ZXMN10A25K
Diodes Incorporated

ZXMN10A25K

Parte Stock: 998

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wishlist.
DMG3415UFY4-7
Diodes Incorporated

DMG3415UFY4-7

Parte Stock: 120604

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 16V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
DMN3112SSS-13
Diodes Incorporated

DMN3112SSS-13

Parte Stock: 643

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 5.8A, 10V,

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